再生障碍性贫血的病因

再生障碍性贫血的病因

1、电离辐射：由物理因素引起的疾病，是再生障碍性贫血的因素之一，在物理上各种电离辐射的加强如，X线、放射性同位素等除了损伤造血干细胞还可损伤造血微环境，影响干细胞的增殖和分化。不同种属细胞对电离辐射敏感性不同。骨髓细胞的敏感强弱依次为：红细胞系>粒细胞系>巨核细胞系。辐射对淋巴细胞有溶解作用，浆细胞、网状细胞及原始纤维细胞等非造血细胞较耐照射。损伤程度与接触核辐射剂量有关。

2、药物及化学物质：患有疾病，但不是对症下药，常常会发生中毒事件。而化学物质本身就有毒性，所以也会引发人们中毒。常见引发此病的药物有氯霉素，解热镇痛剂及含此类药物的制剂，磺胺类药，四环素，抗癌药(包括抗白血病药)，苯，三硝基甲苯，保泰松，异烟耕，驱虫药，杀虫药，农药，无机砷，他巴唑，甲基硫脲嘧啶等都是再生障碍性贫血的因素。

　　（1）药物
　　由药物因素所引发的发病因有两种类型，一种是和剂量有关系的药物，当毒性作用达到一定的剂量就会引起骨髓抑制，进而形成引起再障的常见原因。另一因素是和剂量关系不大，仅有个别患者由于药物的过敏反应等导致持续性的再障等。
　　（2）化学毒物
　　化学物质中的苯及其衍化物已经被认为是引起再障的常见原因中一个主要的因素。这是由于苯这类化学物质中本身对骨髓就具有一定的损害，可能会对骨髓中的造血干细胞造成抑制，并能损害染色体，而苯对骨髓的毒性作用是其代谢产物所致。

3、感染：由于各种疾病再护理不好的情况下会有病毒的侵入，从而会导致严重的后果。其各种病毒感染均是导致再生障碍性贫血的因素，再生障碍性贫血可以发生于病毒性肝炎之后，甲、乙二型肝炎均可致病。

4、其它因素：X线或者是中子等可穿过或进入细胞进而直接损害骨髓中的造血干细胞，对骨髓微环境造成长期损害进而可致再障。同时病毒性肝炎以及免疫因素等也会诱发该类疾病，在患者的血清中可找到抑制造血干细胞的抗体。

[再障感冒发热用药] [重型再障的诊断] [重型再生障碍性贫血症状] [再生障碍性贫血症状] [再障的危险之一——各种电离照射 ] [再障的危险之一——药物及化学物质]

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